工艺流程


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碱制绒

工艺目的

▪ 去除表面沾污和切割损伤层

▪ 降低反射率,增加光的吸收

工艺方法

▪ 在加热的碱性溶液中进行各向异性腐蚀,形成微米级金字塔绒面

图片名称

绒面陷光机理


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硼扩散

工艺目的

▪ 制备均匀PN结形成内建电场,从而分离光生载流子

工艺方法

▪ 扩散炉中通入BCI3源进行一定时间的高温扩散,在n型硅片表面形成p+ 掺杂

图片名称

硼扩散


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去BSG&背抛

工艺目的

▪ 去除BSG

▪ 背面抛光处理

工艺方法

去BSG:利用一定浓度的酸液与硅片背面发生化学反应,从而刻蚀掉背面的BSG

▪ 碱抛腐蚀:利用碱的腐蚀作用,在硅片背面进行抛光刻蚀

图片名称

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LPCVD

工艺目的

▪ 提供隧穿氧化层选择性通过电子

▪ 形成非晶硅层,与遂穿氧化层共同构建钝化薄膜层

工艺方法

▪ 氧气和硅在低压高温环境下反应生产SiO2

▪ SiH4在低压高温环境下通热分解成Si和H2,形成非晶硅层

图片名称

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磷扩散

工艺目的

▪ 非晶硅高温下晶化成为多晶硅

▪ 同时在多晶硅中进行磷掺杂,形成N+层,与背电极形成良好的欧姆接触

工艺方法

▪ POCl3源进行一定时间的高温扩散,在多晶硅薄膜上进行磷掺杂

 
图片名称

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PSG/正刻

工艺目的

▪ 去除硅片正面绕扩的PSG

▪ 去除硅片正面的Poly-Si

▪ 去除正面的BSG及背面的PSG

工艺方法

▪ 去PSG:利用一定浓度的酸液与硅片背面发生化学反应,从而刻蚀掉边结

▪ 碱抛腐蚀:利用碱的腐蚀作用,去除正表面的多晶硅薄膜

图片名称

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ALD AlOx

工艺目的

▪ 利用AlOx薄膜的场钝化效应,降低硅片表面的少子复合

工艺方法

▪ 在炉管中通入TMA、臭氧利用ALD(原子层沉积)方式生长AlOx薄膜

图片名称

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正背膜SiNx

工艺目的

▪ 沉积SiNx减反射薄膜,减少光的反射

工艺方法

▪ 利用PECVD方式將炉管中通入的SiH4、NH3进行电离分解反应,生长SiNx减反射薄膜

图片名称

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丝网烧结

工艺目的

▪ 在硅片表面印刷金属浆料,烧结形成导电电极,用于收集和导出电流

工艺方法

▪ 印刷背面主栅/烘干

▪ 印刷背面副栅/烘干

▪ 印刷正面主栅/烘干

▪ 印刷正面副栅

▪ 烧结

▪ 光注入

图片名称

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测试

工艺目的

▪ 按照测试分拣标准,将电池片进行外观、EL、电性能分类

工艺方法

▪ 外观AOI测试

▪ EL测试

▪ IV测试

▪ 包装

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